일반기술

채널 내에 누설전류 억제용 영역을 가지는 박막 트랜지스터

본 기술은 추가의 제조공정을 수반함이 없이도 오프동작시 의 누설전류를 효과적으로 감소시킬 수 있는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 그리고 오프상태에서 오프셋 게이트 구조의 특성을 나타내고 온 상태에서 비오프셋 구조로서 동작가능한 폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법, 온동작시의 온전류의 양을 비오프셋 게이트 구조로 이루어진 트랜지스터의 온전류의 양보다 저하시킴이 없이 오프동작시의 누설전류의 양을 오프셋 게이트 구조로 이루어진 트랜지스터의 누설 전류량보다 매우 많이 줄일 수 있는 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 제공하며 턴온 동작시에는 충분한 게이트 구동능력을 가지도록 오프셋 영역이 동작적으로 소멸되며 턴오프 동작시에만 누설전류를 차단하도록 오프셋 영역이 동작적으로 형성되는 비오프셋 게이트 구조의 폴리실리콘 박막 트랜지스터, 비오프셋 구조의 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정과 호환성을 가지며, 어떠한 부가적 마스크를 필요로 하지 않고서도 개선된 동작특성을 가지는 박막 트랜지스터 및 그에 따른 제조방법에 관한 기술이다. 본 기술은 아몰퍼스 실리콘을 재료로 사용하여 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 만들 수 있음은 물론, 오프상태에서 오프셋 게이티드 구조의 특성을 나타내고 온 상태에서 비오프셋 구조로서 동작하는 새로운 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 제공할 수 있게 된다. 이러한 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정은 전형적인 비오프셋 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정과 호환성이 있으며, 패턴이나 마스크의 형태만 다를 뿐 어떠한 추가적 마스크를 필요로 하지 않으므로, 제조의 비용절감 효과를 가져온다. 또한, 피엔 접합 게이트를 가지는 본 기술의 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 온전류는 종래의 온전류와 거의 동일하지만, 누설전류는 종래의 누설전류보다 두등급 낮게되는 효과가 있으므로, 온오프 전류비 특성이 개선되는 장점이 있다. 재질면에서 무결정 실리콘 또는 다결정 실리콘 모두를 사용하는 것이 가능하며, 응용면에서 박막 트랜지스터 뿐 만 아니라 비교적 단 채널을 가지는 일반적인 모스 트랜지스터에도 적용가능하다. 또한, 불순물 이온의 주입에 따라 엔형 트랜지스터나 피형 트랜지스터가 선택적으로 제조될 수 있으며, 동일기판상에 엔형 및 피형 트랜지스터가 함께 형성되는 씨모스 구조에도 적용될 수 있다.