일반기술
반도체 소자용 활성층 막 제조방법
본 기술은 I41를 제작할 수 있도록 기판상부에 활성층 막을 간단한 공정으로 쉽게 제조할 수 있고, 양호한 전기적 특성을 얻을 수 있는 I41용 활성층 막 제조방법에 관한 것이다." 반도체 소자를 제작할 수 있도록 기판상부에 활성층을 제조하는 고상한 방법은 기판위에 비정질 실리콘 막을 형성하는 단계, 비정질 실리콘 막의 상부표면에 전자빔을 설정된 패턴으로 주사하는 단계, 막의 상부전체를 설정된 에너지 밀도를 가지는 레이저 빔으로써 어닐링하는 단계를 가짐에 의해 비정질 실리콘 막을 설정된 패턴에 기준한 결정구조를 가지는 폴리 실리콘 막으로 변화되게 함을 특징으로 한다. 기판상부에 활성층 막을 간단한 공정으로 쉽게 제조할 수 있음은 물론 전류 이동도 및 형성되는 막의 치밀도등의 전기적 특성이 개선되는 효과가 있다. 그리고 박막 트랜지스터 뿐 만 아니라 일반적인 모스 트랜지스터에도 적용가능하다. "
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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