일반기술
엑사이머 레이저 방사에 의한 폴리실리콘 싱글일렉트론소자의 제조방법
본 기술은 반도체 메모리 소자를 제작할 수 있도록 기판상부에 활성층 막을 간단한 공정으로 쉽게 콘트롤할 수 있는 방법, 리소그래피 기법과 엑사이머 레이저 어닐링에 의해 크기 및 위치가 정확히 제어되는 폴리실리콘 아일랜드를 이용하여 실온동작 싱글 일렉트론 메모리를 제조하는 고상한 방법에 관한 것이다. 본 기술은 엑사이머 레이저 방사에 의한 폴리실리콘 싱글 일렉트론 소자의 제조방법에 따르면, 기판위에 아몰퍼스 실리콘 막, 절연막, 버퍼막을 차례로 형성하는 단계와, 버퍼막을 사진식각하여 팁형상의 윈도우를 패턴하고 상기 아몰퍼스 실리콘을 결정화하기 위해 레이저 에너지를 방사하고 열처리하는 단계를 가짐에 의해, 적어도 하나의 폴리실리콘 그레인이 패턴된 윈도우 사이드로부터 성장 및 분리되게 하여 파인-그레인 라아지 폴리실리콘 양자 점을 얻는 것을 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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