일반기술
박막 트랜지스터의 활성층 제조 방법 및 그 구조
본 기술은 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 개선된 활성층 제조 방법 및 그 구조와 박막 트랜지스터의 턴-오프시 누설전류 흐름을 억제할 수 있는 개선된 활성층 제조 방법 및 그 구조, 박막 트랜지스터의 턴-오프시 동작특성을 향상시킴으로써, 박막 트랜지스터의 온/오프 상태에서의 전류비를 향상시킬 수 있는 개선된 활성층 제조 방법 및 그 구조에 관한 것이다. 본 기판 상부에 비정질 실리콘막을 형성한 후, 비정질 실리콘을 다결정 실리콘화시킬 수 있을 정도의 에너지를 가지는 빛을 비정질 실리콘에 국부적으로 조사한다. 그 결과, 비정질 실리콘막에는 부분적으로 다결정 실리콘막이 형성되어 비정질 실리콘과 다결정 실리콘의 중간 특성을 지니는 새로운 구조의 도전막이 형성되는데, 이를 박막 트랜지스터의 활성층으로 이용함으로써 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킨다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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