일반기술
엑시머 레이저 어닐링을 이용한 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
본 기술은 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 채널내에 그레인 경계의 밀도를 감소시키기 위해 그레인의 크기를 증가시키고 그레인 경계를 질서적으로 배열하는 엑시머 레이저 어닐링 방법을 이용하여 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다. 본 기술에 의해 그레인의 수평성장을 유도하기 위한 패턴형태로 된 금속과 같은 자외선 반사체를 한번의 사진 공정과 리프트오프 공정을 이용하여 박막 트랜지스터 소자의 소오스와 드레인 위에 정확히 정렬시킬 수 있어 소자를 쉽게 제작할 수 있다. 또한 종래의 수백 ㎚의 그레인 크기를 수 ㎛정도까지 증가시킴으로써 다결정 실리콘 박막내의 그레인 경계의 밀도를 현저히 감소시켜 전자의 흐름을 원활하게 하여 소자의 이동도 특성을 향상시킬 뿐만 아니라 누설 전류 억제에도 효과적이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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