일반기술

액정디스플레이장치의 화소소자의 구조 및 그 제조방법

본 기술은 액정디스플레이에서 특히 화소(pixel)소자의 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소정의 전압이 인가되는 게이트단자와 소정의 데이타신호가 입력되는 드레인단자와 소정의 노드에 접속되는 소오스단자를 가지고 공통의 전류통로를 가지는 2개의 스위칭트랜지스터와 소오스단자와 소정의 전극 노드사이에 전극의 양단이 접속되고 산화막에 의해 감싸인 구조이다. 본 기술은 LCD에 있어서 TFT 트랜지스터를 채용하는 통상의 화소소자와 동일한 점유면적을 가지면서도 전류구동능력과 캐패시턴스의 용량이 증가하는 화소소자를 제공함에 의해, 액정노드로 되는 소오스노드에 전류의 차아지시간이 고속으로 되는 장점이 있다. 또한 통상의 모오스공정을 통해 점유면적의 증가없이 종래대비 적어도 2배의 캐패시턴스를 확보할 수 있는 잇점이 발생되며, 아울러 향후 동일기판상의 레이아웃을 용이하게 하는 효과가 발생한다. 또한 이러한 잇점들이 용이한 제조공정을 통해서 달성되는 효과가 있다. 또한 LCD의 틈간비율을 감소시키지 않고서도 기생캐패시턴스의 영향 을 최대 억제할 수 있다.