일반기술

분할 버퍼층을 갖는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터

본 기술은 절연게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로, 주입되는 소수캐리어에 따른 전압강하에 의해 래치업이 발생하는 문제점을 해결하기 위하여, 동작전류가 공급되는 전극에 접속된 반도체기판과 IGBT가 집접되어진 에피층 사이에 버피층을 가지며, 버피층은 그 상부의 구조에 따라 주입되어질 정공들이 분산주입을 유도할 수 있도록 각각 저농도 및 고농도의 불순물농도를 갖도록 분할된 버피층으로 형성되도록 하여, 분할버피층에 의해 래치업을 유발하는 정공들의 수는 감소되고 반대로 래치업을 유발하지 않는 영역들도 주입되는 정공들의 수는 상대적으로 증가되도록 하여, 래치업이 발생되는 임계치전류가 높아지는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것이다." 본 기술은 절연게이트 바이폴라 트랜지스터에서 전압강하에 의한 래치업 발생을 억제하기 위한 기술이며, 본 기술을 통해 특성 개선을 획득하였다. 그리고 기존의 구조들에 비해 장점 비용이 저렴하다."