일반기술
절연게이트 바이폴라 트랜지스터의 구조 및 그 제조방법
본 기술은 절연게이트 바이폴라 트랜지스터에서 문턱전압의 변동없이 래치업전류를 높이기 위한 방법에 관한 것이다. 본 기술은 문턱전압의 변동없이 래치업전류를 높이기 위하여, 래치업에 영향을 미치는 소오스영역 하부의 몸체영역에 몸체보다 고농도의 불순물농도를 갖는 매몰영역을 고에너지의 이온주입으로 형성하여 줌으로써, 래치업이 발생되는 임계치전류가 높아진다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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