일반기술

수직형 전계방출 소자를 이용한 자기센서

본 기술은 동작전압이 낮고 에미터와 게이트 사이의 누설전류도 작은 수직형 전계방출소자(FEA)를 이용한 자기센서에 관한 것으로 수직형 FEA와, FEA와 마주보게 그 에미터의 전계방출 방향과 대략 수직을 이루는 판형의 제1애노드와, FEA와 제1애노드 사이에 일측에 제1애노드를 감싸도록 설치되고 제1애노드와 대략 수직을 이루는 제2애노드가 진공속에 설치된다. 본 기술은 원추형의 에미터 전극주위에 원형으로 형성된 게이트 전극에 의하여 에미터 첨단 상부에서 최대의 전기장을 형성하게 되고 게이트 전극이 없는 상부의 게구부로 전자가 방츨됨에 따라 게이트에 포착되는 전자가 수평형 FEA에 비하여 현저히 작게 되어 게이트 누설이 작은 잇점이 있고, 원형의 게이트 홀을 형성한 후 홀을 이용하여 원추형의 에미터 전극을 형성함에 따라 에미터와 게이타의 간격을 1 이하로 유지하는 것이 용이하여 전자 방출에 필요한 임계전장을 형성하기 위한 동작전압도 낮출 수 있는 장점을 갖는다.