일반기술
역측벽을 이용한 함몰채널 MOSFET의 제조방법
본 기술은 기가(giga) 디램(DRAM)급 이상의 기억 소자나 빠른 동작 주파수를 갖는 회로에 응용하기 위하여 짧은 게이트 길이와 앝은 소스/드레인 접합을 형성하는 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술은 측벽 질화막을 이용함으로써, 현재의 리쏘그라피 공정의 한계를 극복하여 0.1㎛ 채널길이 이하의 소자를 제조할 수 있도록 하며, 채널과 소스/드레인 영역을 각각 형성하고 채널과 소스/드레인을 선택적으로 도핑(doping)할 수 있고 채널 영역을 함몰하여 상대적으로 얕은 접합의 소스와 드레인을 형성할 수 있어 접합용량을 감소시켜서 소자의 동작 속도를 증가시킨다. 채널과 소스/드레인의 도핑 모양을 옆으로 불균일하게 하여 펀치드루(punchthrough)현상을 줄일 수 있으며, 나아가 핫 캐리어(hot carrier)의 생성을 감소시켜서 신뢰도를 향상하게 하는 것을 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
- 보유기관
- 서울대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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