일반기술

스핀전자재료기술

나노 기술의 한 축인 스핀전자재료는 자기기록, 광자기기록, 비휘발성 solid-state memory등 정보저장기술(imformation storage)의 핵심이 되는 기능성 기반 소재이다. 본 기술은 스핀전자재료 박막 재료 형성 기술, 자기저항 변화량을 극대화 하는 재료 설계,스핀 주입 효율성 및 스핀분극을 극대화 하는 계면조작기술, 외부 환경(열,정전기,부식,방사능,경시변화등)에 대한 계면 안정성 평가등을 의미 한다.1)강자성체/도체/강자성체(GMR) :GMR현상이라고 하며 스핀정보를 가지고 있는 전자가 강자성체의 자화방향의 자화방향에 따른 전달량의 차이에 의해 나타난다. 2)강자성체/부도체/강자성체 :TMR현상이라고 하며 전류가 CPP로 흐르기 때문에 자성층의 두께에 의한 전류손실의 문제가 없고 상온에서의 자기저항비가 20%이상이다 3)강자성체 또는 자성 반도체/반도체/강자성체 :스핀-트랜지스터, 스핀분극-FET, 스핀-optics기술등의 소자에 응용이 기대되고 있는 스핀 주입 소자기술이다. 4)초고밀도 자기기록매체 재료 초상자성 한계등 우려하였던 자성기록매체의 한계를 모두 불식시키고 향후 5~6년후 1Tera bpsi기록밀도를 목표로 연구가 진행 중에 있다.