일반기술

Ion-cut고정을이용한대면적박막제조기술

(1) SOI(Si-On-Insulator)는 저전력, 저전압(<1V), 고속의 ULSI 제조에 필수적인 차세대 반도체 기판이며, Gb DRAM 제조, 내방사성 및 고온 회로, MEMS, smart power 등에도 활용성이 뛰어남 (2) SOI 웨이퍼 제조기술로는 80년대 이후 SIMOX, BESOI 등 다양한 기술들이 개발되었으나, 90년대 중반 제안된 ion-cut 기술은 ULSI 개발의 기본 요구조건, 즉, 두께 균일성, 우수한 결정성, 저비용성, 두께 가변성과 다양성 등을 만족시키는 신기술임(1) ion-cut 기술은 양성자주입-웨이퍼접합 기술을 기반으로 하며 재래식기술에 비해 경제성, 생산성, 품질면에서 앞서 산업화전망이 뛰어나며, (2) 요구되는 주요 장비들도 대전류 이온주입기, 범용 전기로, 습식세정기 및 CMP 등 기존의 반도체공정용 범용장비들임 (3) Ion-cut 기술은 SOI 웨이퍼제조뿐만 아니라 Si on quartz, Sic on glass, compound semiconductors(GaAs, InP) on Si, 매입형 금속층, 태양전지용 Si 기판(10-20㎛), 3차원구조형성 등 기술적으로도 매우 다양한 활용이 가능함