일반기술

반도체 소자용 구리무전해도금 공정에서 금속촉매의 전처리 조건에 따라 구리박막의 지형학적 선택도를 조

반도체 소자공정 중 금속배선공정에 있어서 무전해도금을 이용한 구리배선에 관한 공정으로서 금속촉매 전처리 공정을 이용하였다. 특히, 본 기술에서는 팔라듐을 이용한 전처리 공정조건을 변화시킴으로써 웨이퍼의 배선에만 선택적으로 팔랴듐을 증착시키고 후속공정인 구리 무전해도금을 통하여 팔라듐 입자들이 있는 배선에만 선택적으로 구리를 성장시키는 공정이다.기존의 금속촉매 전처리 공정을 응용하여 원하는 배선 내에만 선택적으로 금속촉매 입자를 증착시킴으로서 구리 무전해도금을 통하여 선택적으로 성장시킬 수 있다. 또한 본 기술은 기존의 금속배선공정과는 달리 진공장치가 전혀 쓰이지 않고 습식공정만으로 이루어진 공정이다. 무전해도금 방식을 이용한 선택적 구리 증착방식은 구리 촉매층을 사용하고 있는 전해도금방식보다 공정이 간단하며 공정비용이 상당히 절감되고 특히, 금속촉매 전처리 공정조건을 변화한다.