일반기술
반도체소자의 하부전극 형성방법
본 기술은 반도체 소자의 전극 형성 방법에 관한 것으로, RF-magnetron sputtering법을 이용하여 인-시튜(in-situ) 방법으로 단일 Ru타겟을 사용하여 산소 분압에 의한 이중전극형태의 루테늄/이산화 루테늄(Ru/RuO2) 전극 형성으로 플라즈마 공정의 단순화 및 안정화를 가능하게 한다본 기술은, RF-magnetron sputtering법을 이용하여 인-시튜(in-situ) 방법으로 단일 Ru타겟을 사용하여 산소 분압에 의한 이중전극형태의 루테늄/이산화 루테늄(Ru/RuO2) 전극 형성으로 플라즈마 공정의 단순화 및 안정화를 가능하게 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
- 보유기관
- 성균관대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-11-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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