일반기술

중성빔을 이용한 층대층 식각방법

이온빔의 장치로부터 추출된 이온은 물질표면에 충돌하면 대부분 중성화되게 되며, 분자이온이 분해되고, sputtering의 현상도 동반한다. 반면 물질표면에 충돌하는 이온의 입사각도가 5도 정도의 낮은 각인 경우 최근의 이론적인 연구결과에 따르면 라디칼의 반사시 추가분해도가 0에 접근하고 또한 거의 모든 이온이 중성화되어 거의 같은 각도로 반사되는 것으로 연구되었다.본 기술은 이와 같이 발생시킨 중성빔을 이용하여 층대층 식각을 이루는 방법이다최근 반도체 소자의 패턴 사이즈가 작아짐에 따라서 무손상 식각기술이 필요로 되어지고 있으며, 이러한 식각방법중의 하나로 중성빔 식각이 대두되어지고 있다. 그러나 기존의 연구되어지고 있는 중성빔 식각장치의 경우 high flux의 중성빔 발생이 어렵고, 중성빔의 방향 제어가 매우 어렵다. 반면 본 기술은 high flux의 방향성을 지니는 중성빔을 발생시킬 수 있으므로, 앞으로의 중성빔 식각에 매우 유리하며 또한 특성상 대면적화가 용이하고 구조가 간단하여 산업화에의 적용에 유리하다.