일반기술
비등방성 식각을 이용한 서브마이크론 게이트 제조방법
본 기술은 비등방성 습식 식각을 이용하여 기존의 노광법으로 자기 정렬이 가능한 서브마이크론 육각형 게이트 형성에 관한 것이다.지금까지의 서브마이크론 게이트를 형성하기 위해서는 e-beam direct writing, stepper와 같은 고가의 장비를 필요로 하거나, side-wall 형성과 같은 복잡한 공정을 필요로 하기 때문에, 제작단가가 높아지는 단점을 가지고 있었다. 그러나, 본 기술은 이러한 문제점을 해결할 수 있는 것으로, 기존의 값싼 contact aligner와 간단한 비등방성 습식 식각 공정만을 가지고도 신뢰도 높은 서브마이크론 게이트형성이 가능함을 보이고 있다. 또 이 게이트를 이용하여 self-align이 가능하여 HBT소자에서 base metallization시에 base저항을 줄이는 역할을 할 수 있는 장점을 가지고 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 전력시스템
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-12-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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