일반기술
비등방성 식각 특성을 이용한 서브마이크론 에미터 제조방법
반도체 웨이퍼의 비등방성 식각 특성을 적용하여 에미터 패턴의 선폭을 줄여 서브마이크론 에미터를 제작할 수 있는 기술로 기존의 값싼 노광장비와 단순하고 안정된 공정을 사용한다. 또한 소자 제작시 자기정렬을 얻을 수 있다.소자 선폭을 줄이는데 단순한 원리, 즉 반도체 웨이퍼의 비등방성 식각 특성을 이용하여 안정되고 신뢰성 높은 서브마이크론 에미터를 제작할 수 있으므로 이를 적용한 소자 및 회로의 성능을 향상시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 전력시스템
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-12-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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