일반기술
이중-게이트 FinFET 소자 및 그 제조방법
벌크 실리콘 웨이퍼를 이용한 이중-게이트 소자구조를 기술하였고, 바디기 기판에 연결되도록 하였다. 자기정렬형으로 소스/드레인에 에피층을 성장한 구조이다.- 제조 공정 및 소자 구조가 간단함. - 값싼 벌크 실리콘 웨이퍼 사용.- 기존 이중-게이트 문제 해결. -15 nm 급 CMOS 소자 가능
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-12-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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