일반기술
양자선 채널 FET에서의 양자선 제작 방법
본 기술은 전자선 묘화기법을 사용하지 않고 희생층과 일반 사진기법을 이용한 양자 세선 제작에 관한 것이다.이 양자선을 광검출기로 사용하는 경우에는 희생층이 광집속기 역할을 하기 때문에 소자의 성능향상을 기대할 수 있다. 이러한 양자 세선의 제작방법은 종래에 사용하던 양자 세선 제작방법에 비해 간단하며, 생산 속도를 늦추는 재결정성장이나, 전자선 묘화를 사용하지 않기 때문에 생산 속도를 높일 수 있는 장점을 갖고 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-12-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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