일반기술

비휘발성 자기메모리 소자인 엠램에 있어서 압전박막층을 이용한 스핀스위칭 구동방법 및 장치

랜덤억세스 자기기록메모리 소자로 사용되는 MRAM 있어서 스핀방향 스위칭 구동방식을, 전류의 흐름에 의한 유도자기장이 아니라 압전박막층을 이용하여 전압을 가해 인장응력을 유발시키고 이를 이용한 스핀방향 용이축을 수평에서 수직으로 변화시키는 방식에 관한 내용이다. 이를 이용하여 MRAM의 자기저항을 이용한 기존의 재생방식과 FRAM의 기록방식인 압전박막을 이용한 장점을 복합적으로 활용하여 1 미크론 크기 이하의 셀 에레이를 제작하는 것이다.기존의 자기기록소자는 유도자기장을 인가하여 자구의 스핀방향을 반전하여 기록하지만 이는 stray field를 방생하여 메모리소자의 초소형화시 초고집적 한계에 도달한다. 하지만 본 기술은 기록비트가 압전기판과 자성박막들로 이루어져 있어 각 셀의 자구 스핀방향만 전압을 가해 자화반전시켜 초고밀도 집적시 유용한 방식이다. 특히 기존의 기술인 FRAM과 MRAM의 장점만을 혼합하여 고효율 자기기록소자를 단기간에 달성할 수 있고 적층구조가 기존의 랜덤억세스 메모리소자보다 간단하다.