일반기술
부분용융물질을 이용한 PZT 후막의 제조방법
본 기술은 부분용융물질을 이용하여 저온에서 PZT 후막을 제조하는 방법에 관한 것이다. PZT는 Pb1+x(ZryTi1-y)O3의 조성식을 갖는 물질로 전기적으로 우수한 압전 및 유전특성을 갖는 물질로써 PZT는 엑추에이터, 트랜스듀서, 캐퍼시터, 센서 등의 소자로 널리 이용된다.본 기술은 소결조제를 첨가하지 않고, 필요한 성분만을 사용하여 저온용융 물질에 소결조제 역할을 부여하여 낮은 온도에서 치밀한 소결체를 얻고 불순물을 함유하지 않아 우수한 특성을 발현시킬수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 세라믹재료
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-12-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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