일반기술
SiGe 에피층의 열적 산화막 형성
본 기술은 SiGe/Si 이종접합구조를 이용한 소자 제작에 있어서 가장 큰 문제가 되어온 공정인 양질의 산화막 형성을 가능케 하여, SiGe/Si 이종 접합 구조를 이용한 다양한 종류의 Field Effect Transistor(FET)의 절연막 형성에 이용될 수 있다.기존의 잘 알려진 Si 공정에 사용되어오던 열적 산화 방식을 SiGe 에피층에 적용시킬 수 있게 되어, 부수적인 장비의 설치나 복잡한 공정 없이 SiGe 에피층 위에 양질의 산화막을 형성할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-12-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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