일반기술
CMOS 이미지 센서의 단위화소
기판에 수직방향으로 형성된 두개의 다이오드 중 표면부의 PN접합부의 전압차를 일정하게 유지하여 변환이득을 증가시킴으로써 CMOS 영상센서의 감도를 향상한다.CMOS공정의 수정없이 간단히 구현 가능한 감도향상 구조이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-12-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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