일반기술

초고집적도 디램 캐패시터용 스트론튬-납 티탄산 박막 및 그의 제조방법

본 기술은 차세대 초고집적도 DRAM 캐패시터용 스트론튬-납 티탄산([Sr,Pb]TiO3)박막에 관한 것이다. 다양한 박막증착방법에 의하여 스트론튬-납 티탄산 박막을 형성함으로써 고유전율 및 낮은 열처리 온도에서도 뛰어난 전기적 특성을 보여주는 물질에 대한 것이다.메모리 반도체 capacitor로 사용되는 물질에 있어서 스트론튬-납 티탄산([Sr,Pb]TiO3)박막을 이용, 다양한 박막증착 방법을 이용하여 상기 스트론튬-납 티탄산([Sr,Pb]TiO3) 박막을 반도체 소자내 증착하여 이용하는 방법, 즉 스트론튬-납 티탄산([Sr,Pb]TiO3)박막을 습식 증착방법인 액적화학증착법(LSMCD, Liquid Source Misted Chemical Deposition), 졸-겔법(Sol-gel), 유기금속분해법(MOD, Metalorganic Decomposition) 중에서 선택된 어느 하나로 증착하는 것을 특징으로 한다.