일반기술
비휘발성 강유전체 랜덤 엑서스 메모리의 캐패시터용 비스무스-세리움 티탄산 박막
본 기술의 경우, 비스무스-세리움 티탄산 ([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막에 관한 것이며, 낮은 온도에서도 (600-650oC) 양질의 결정이 형성되며 현재의 반도체 공정에 적용이 용이하고 기존의 물질에 비하여 탁월한 특성을 나타내는 물질로서 차세대 FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) capacitor로서 이용가능하다.다양한 박막증착방법에 의하여 비스무스-세리움 티탄산을 형성함으로써 장시간 사용에도 박막의 피로현상이 없고, 낮은 열처리 온도에서도 뛰어난 전기적 특성을 보여주는 물질이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-12-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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