일반기술
발광 다이오드 및 제조방법
본 기술은 기존의 surface emitting LED에 45도 반사기, 깊게 에칭된 side wall 및 monolithic microlens를 형성하여 LED의 출력을 수배향상 시킬 수 있는 새로운 형태의 LED 구조에 관한 것이다. 또한 기존의 surface emitting LED의 문제점인 광출력 포화현상을 반사기를 접적하므로 향상시킬 수 있으므로, LED의 성능을 대폭 개선 할 수 있다.본 기술은 기존의 surface emitting LED에 45도 반사기, 깊게 에칭된 side wall 및 monolithic microlens를 형성할 수 있으며, 제안된 LED구조는 기존의 것에 비해서 몇배의 광출력을 얻을 수 있으므로 고휘도 발광소자로 디스플레이 등에 응용할 수 있으며, 광통신용 광원으로도 응용할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 물리학 > 기타 광학
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-12-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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