일반기술
미세 패턴 및 메탈 라인형성방법
본 기술은 기존의 반도체 UV 리소그라피 공정과 드라이에칭기술을 이용한 수천 angstrom이하의 미세 라인 또는 미세 metal line을 형성하는 방법이다. 제안된 미세라인 형성 방법은 기존의 반도체 공정을 이용한 미세라인 형성의 한계를 극복할 수 있으며, 1000 angstrom이하의 미세 라인도 쉽게 형성할 수 있다. 이 기술의 특징은 미세라인 형성에 있어서 유전체와 에칭기술을 이용하여유전체의 수직 방향의 두께를 최종적으로 수평 방향의 미세라인 선폭으로 변환하는 기술에 있다.본 기술의 특징은 미세라인 형성에 있어서 유전체와 에칭기술을 이용하여유전체의 수직 방향의 두께를 최종적으로 수평 방향의 미세라인 선폭으로 변환하는 기술에 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-12-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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