일반기술
매우 얇은 보호막을 갖는 광음극(Photocathode having an ultra-thin protective layer)
본 기술은 광음극의 보호막으로써 사용 가능한 재료와 그것을 사용한 광음극의 구조에 관한 것이다. 광전 효과에 의한 광전자 발생을 위하여 사용하는 기존의 광전 재료들은 반응성이 높기 때문에, 대기에 노출 될 경우 산화로 인하여 급격하게 성능이 저하 되게 된다. 이러한 성능 저하 현상을 방지하면서도 광전자의 발생 효율을 그대로 유지하기 위해 화학적, 물리적, 기계적 성질이 뛰어난 보호막으로 광음극을 코팅하고 광전자는 터널링에 의해 보호막을 관통하도록 기술하였다.광전자 발생을 위해 사용하는 광음극 위에 얇은 보호막 증착을 통하여, 광전자 발생 특성은 그대로 유지하면서, 광음극의 산화로 인한 성능 저하를 방지한다.
기술정보
- 기술분류
- 물리학 > 기타 광학
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-12-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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