일반기술

금속내의 실리콘 고상 단결정화를 이용한 다결정실리콘 제조방법

유리기판 또는 실리콘 산화물 위에 실리콘을 소량[수 wt%]을 첨가한 금속을 증착하여 열처리를 진행하면 식는 과정에서 금속내에 고용된 실리콘이 온도가 감소함에 따라 금속내에 고용도가 줄어들기 때문에 잉여의 실리콘이 energy state가 비교적 낮은 기판과 grain boundary사이에 단결정으로 석출하게 된다. 이후 금속을 선택적으로 제거하면 단결정 실리콘만이 Island처럼 존재하게 된다. 이 실리콘 단결정 island에 플라즈마 기상 화학 증착 방법 또는 저압 화학 기상 방법을 이용하여 비정질 실리콘을 증착한 후 이를 저온에서 열처리하여 입자크기가 큰 다결정 규소 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.저온결정화를 위하여 금속의 고용석출에 대한 현상을 이용하고, 다결정규소박막을 현행 보다 50C이상 낮출 수 있으며 입자의 크기도 5um이상 크기로 성장할 수 있으므로 LCD나 SRAM에 적용할 수있다.