일반기술
극소 플래쉬 메모리 소자 구조
본 기술은 스케일링 다운 특성이 우수한 이중-게이트 플래쉬 메모리 구조와 이중-게이트 플래쉬 메모리 소자의 프로그램 및 유지(retention) 특성을 개선할 수 있는 기술이다.- 제조 공정 및 소자 구조가 간단함.- 메모리의 제반 특성을 개선할 수 있음.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-12-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.