일반기술
계면층을 이용한 박막 성장법
본 발명은 기판과 성장시키고자하는 박막 사이의 계면층을 개입하여 이용하여 산화 박막 혹은 금속 박막을 결정 성장시키는 방법에 관련된 것이다. 실리콘 기판위에 3-8 층 정도의 산화 실리콘으로 이루어진 계면층을 이용하여 박막을 형성함으로써, 실리콘 기판의 결정성을 그대로 따르면서 실리사이드의 생성을 억제하여 양질의 박막을 성장하는 방법임.기판위에 양질의 박막을 제조하기 위해 기판과 박막 사이에 계면층을 삽입하여 양질의 박막을 제조하는 것이 특징임.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
- 보유기관
- 연세대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-12-17
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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