일반기술

다공질 실리콘상의 박막을 이용한 마이크로머시닝 방법

본 발명은 미세구조물을 제조하는 마이크로머시닝 방법에 관한 것으로, n형 실리콘기판을 세척하여 실리콘산화막을 성장시킨후 뒷면의 실리톤산화막을 제거하는 단계와; n+확산층이 형성될 부분의 실리콘산화막을 제거하고 인을 확산시켜 n+확산층을 형성하는 단계와; 정전류원으로 양극반응시켜 상기 n+확산층을 다공질 실리콘층으로 만들고 실리콘산화막을 제거하는 단계와; 상기 다공질 실리콘층위에 ZnO 또는 Ni-Cr/Au를 스퍼터링하여 박막을 증착하는 단계와 증착된 박막을 사진식각법으로 패터닝하는 단계와 노출된 다공질 실리콘층을 선택적으로 식각하여 동공을 형성하는 단계로 이루어져 소자가 들어갈 부분만 선택적으로 양극반응시키고 그 위에 박막을 증착한후 미세구조부를 형성하여 다공질실리콘층만을 식각함으로써 원하는 부위에 임의형상의 공간을 정확하게 제어하여 다양한 형태로 특정크기의 미세구조를 제조할 수 있고, 여러가지 기능성 박막으로 미세구조를 만들어 낼수있을 뿐만아니라 다른 집적회로 소자의 제조에 영향을 주지않고 완전히 독립으로 미세구조물을 제조할 수 있는 다공질실리콘상의 박막을 이용한 마이크로머시닝 방법이다.n형 실리콘기판을 세척하여 실리콘산화막을 성장시킨 후 뒷면의 실리콘산화막을 제거하는 단계와 n+확산층이 형성될 부분의 실리콘산화막을 제거하고 인을 확산시켜 n+확산층을 형성하는 단계와 정전류원으로 양극반응시켜 상기 n+확산층을 다공질 실리콘층으로 만들고 실리콘산화막을 제거하는 단계와 상기 당공질 실리콘층위에 ZnO 또는 Ni-Cr/Au를 스퍼터링하여 박막을 증착하는 단계와: 증착된 박막을 사진식각법으로 패터닝하는 단계와 노출된 다공질 실리콘층을 선택적으로 식각하여 동공을 형성하는 단계를 포함하는 다공질 실리콘상의 박막을 이용한 마이크로머시닝 방법.