일반기술

실리콘 가속도 센서의 제조 방법

본 발명은 실리콘 가속도 센서의 제조방법에 관한 것으로서 메스(Mass)의 모서리에 언더컷이 발생하는 것을 억제할 수 있는 실리콘 가속도 센서의 제조방법에 관한 것이다. 가속도 센서 소자공간을 고려할 경우 무엇보다 정사각형의 보상구조로 사각뿔 형태의 메스를 보상하는 것이 적당하다는 결과를 얻고, 실험을 통해 최적의 보상조건을 찾았다. 위의 결과를 토대로, SDB(Silicon Direct Bording) 웨이퍼를 이용하여 실리콘 압저항형 가속도 센서의 완전한 사각뿔 형태의 Mass가 실현된 소자를 제조할 수 있다.본 발명은 실리콘 가속 센서의 제조 방법에 관한 것으로서 메스(Mass)의 모서리에 언더컷이 발생하는 것을 억제할 수 있는 실리콘 가속도 센서의 제조 방법에 관한 것이다. 실리콘 가속도 센서는 진동, 충격, 가속도 등의 물리량을 전기적 신호로 감지하는 센서로서 집적회로 기술을 이용하여 초소형화, 초경량화로 제작되어지고 있다. 이러한 가속도 센서는 자동차, 비행기, 선박 등 각종 수송 수단, 그리고 공장 자동화 및 로봇 등의 제어 시스템에 있어서 필수적인 소자이고, 그 소자의 적용 및 활용 분야의 가능성은 무한하다.