일반기술

다공질 실리콘을 이용한 반도체 장치의 제조 방법

본 발명의 다공질 실리콘을 이용한 실리콘 다이아프램의 제조방법은 n형 실리콘기판을 제조하는 단계와 상기 실리콘 기판에 n+불순물을 확산시켜 상기 기판의 상면의 소정의 부분에 n+확산영역을 형성하는 단계와 n형 실리콘 에피택셜층을 성장시키는 단계와 상기 n형 실리콘 에피택셜층에 통공(through-hole)을 형성하여 상기 n+확산영역중 소정부분을 노출시키는 단계와 불산(HF)용액에서 양극반응을 수행하여 상기 n+확산영역을 다공질실리콘층으로 만드는 단계와 상기 다공질실리콘층을 에칭하여 에어-갭을 형성하는 단계 및 상기 통공을 밀봉하는 단계를 포함한다.n형 실리콘 기판을 제조하는 단계와 상기 실리콘 기판에 n+불순물을 확산시켜 상기 기판의 상면의 소정의 부분에 n+확산영역을 형성하는 단계와 n형 실리콘 에피택셜층을 성장시키는 단계와 상기 n형 실리콘 에피택셜층에 통공(through-hole)을 형성하여 상기 n+확산영역중 소정부분을 노풀시키는 단계와; 불산(HF)용액에서 양극반응을 수행하여 상기 n+확산여역을 다공질실리콘층으로 만드는 단계와 상기 다공질실리콘층을 에칭하여 에어-갭을 형성하는 단계 및 상기 통공을 밀봉하는 단계를 포함하는 다공질실리콘을 이용한 반도체 장치의 제조방법 2. n형 실리콘기판을 제조하는 단계와 상기 실리콘 기판에 n+불순물을 확산시켜 상기 기판의 상면에 소정의 부분에 n+확산영역을 형성하는 단계와 n형 실리콘 에피택셜층을 성장시키는 단계와 상기 n형 실리콘 에피택셜층에 P형 압저항을 형성시키는 단계와 상기 압저항이 형성된 n형 실리콘 에피택셜층상에 Ni/Cr/Au 금속층을 증착시키는 단계와 상기 Ni/Cr/Au 금속층 및 상기 n형 실리콘 에피택셜층에 통공을 형성하여 상기 n+확산영역중 소정부분을 노출시키는 단계와 불산(HF)용액에서 양극반응을 수행하여 상기 n+확산역역을 다공질실리콘층으로 만드는 단계와 상기 Ni/Cr/Au금속층을 패터닝하는 단계와 상기 다공질실리콘층을 에칭하여 에어갭을 형성하는 단계 및 상기 통공을 밀봉하는 단계를 포함하는 다공질시리콘을 이용한 반도체장치의 제조방법