일반기술

기판상에 두꺼운 산화막을 선택적으로 형성하는 방법

1. n형 실리콘기판에 선택적으로 n+불순물을 확산시켜 상기 n형 실리콘기판의 상면 소정부분에 n+확산영역을 형성하는 단계와: 양극반응을 수행하여 상기 n+확산영역을 다공질실리콘층을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 기판상에 두꺼운 산화막을 선택적으로 형성하는 방법. 2. 제1항에 있어서, 800oC∼1000oC의 산소(O2)분위기에서 25∼35분동안 n+불순물을 확산시켜 n+확산영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판상에 두꺼운 산화막을 선택적으로 형성하는 방법.3. 제1항에 있어서, HF:C3H5OH:H20=10:7:7인 불산용액에서 21.5mA∼28.5mA의 전류를 45∼55분동안 인가하는 양극반을으로 다공질 실리콘층을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판상에 두꺼운 산화막을 선택적으로 형성하는 방법.반도체 반도체 소자 및 장비, 재료 관련기술 마이크로콤포넌트 집적회로(마이크로프로세서, 마이크로콘트롤러), 다이오드, 트랜지스터, 전력용반도체, 특수용도반도체(ASIC), 화합물반도체(광소자, 마이크로웨이브소자), 메모리반도체(DRAM, SRAM, ROM), 반도체장비(공정장비,조립장비,검사장비), 반도체재료(기능재료, 공정재료, 구조재료), 반도체패키지, 리드프레임, 캐패시터, 정류소자, 증폭소자, 발진소자, 스위칭 소자, 광전소자