일반기술

폴리이미드 마스킹을 이용한 다공질실리콘 마이크로머시닝방법

본 발명 마이크로머시닝 방법에 의하면 고온의 열처리를 필요로 하지 않으며, HF 용액속에서 양극반응시 화학적 및 전기적 절연특성이 우수한 폴리이미드 마스킹을 이용함으로써 신호처리회로 및 변환 소자부를 보호할 수 있을 뿐만아니라 정교한 미세구조물을 용이하게 제조할 수 있는 장점이 있다. 폴리이미드 마스킹을 이용한 다공질실리콘 마이크로머시닝방법은 개발단계에서 부터 시제품생산에 이르기까지 발전가능성이있는 기술이다.본 발명은 미세구조물을 제조하는 마이크로머시닝 방법에 관한 것으로, n형실리콘기판을 세척하여 실리콘 산화막을 성장시키고 실리콘산화막을 선택적으로 식각하여 n+확산창을 열고 P0Cl3를 주입확산시켜 n+ 확산영역을 형성한 다음 실리콘산화막을 제거하고 n형 실리콘에 피택셜층을 성장시키는 단계와; 상기 n형실리콘에피택셜층에 신호처리회로 및 변환소자부를 형성한 후 버퍼산화막과 질화막을 순차 증착하고 소자의 접촉부를 정의하고 난다음 Au/Ni-Cr막을 증착하여 금속패턴을 정의하는 금속화공정 단계와; 금속화공정이 끝난 기판위에 폴리이미드를 도포하고 폴리이미드를 부분적으로 선택식각 하여 패턴을 정의하고 난 후 습식식각 또는 건식식각법으로 상기 n형실리콘에피택셜층을 식각하여 n+확산영역을 노출시키는 단계와; 고농도 HF 용액에서 정전류 또는 정전압원으로 양극반응시켜 상기 n+확산영역을 다공질실리콘층으로 만들고, 다공질실리콘층을 NaOH용액에서 식각하여 동공(12;cavity)을 형성하고 상기 폴리이미드를 제거하는 단계로 이루어져 고온의 열처리를 필요로 하지 않으며, HF 용액속에서 양극반응시 화학적 및 전기적 절연특성이 우수한 폴리이미드 마스킹을 이용함으로써 신호처리회로 및 변환 소자부를 보호할 수 있을 뿐만아니라 정교한 미세구조물을 용이하게 제조할 수 있는 폴리이미드 마스킹을 이용한 다공질실리콘마이크로머시닝 방법이다.