일반기술

다공질 실리콘에 피탁시법을 이용한 실리콘 미세 구조의 형성 방법

본 발명은 각종센서나 액츄에이터를 제조하기 위하여 사용되는 실리콘 미세구조를 형성하는 방법에 관한 것으로서, 특히 다공질 실리콘위에 실리콘 에피탁시층을 형성하여 임의 형상의 미세 기계구조물을 정확히 제어하여 구현하는 다공질 실리콘 에피탁시법을 이용한 실리콘 미세구조의 형성방법에 관한 것이다 .다공질 실리콘에 피탁시법을 이용한 실리콘 미세 구조의 형성 방법은 발명의 기초단계에서 연구 개발까지여러가지 장점을 이용하여 만들어졌다. 실리콘을 식각하여 미세구조를 3차원적으로 형성하는 방법은 일반적으로 건식식각법과 습식식각으로 크게 대별된다.그런데 종래의 건식식각이나 습식식각으로 식각을 할 경우 선택 식각 및 식각정지를 제어하기 어려워 정확한 구조물을 만들기 쉽지 않아 양산에 적용하는데에는 많은 문제가 있다. 본 발명은 상기한 종래 실리콘 미세구조를 형성하는 방법이 갖는 문제점을 해결하고자 발명한 것으로, 다공질 실리콘위에 실리콘 에피탁시층을 형성하여 에피탁시층을 식각함으로써 임의 형상의 공간을 정확히 제어하여 다른 집적회로소자 제조공정과는 완전히 독립적으로 영향을 주지 않고 수행되어 임의형상의 실리콘 미세구조를 형성하는 다공질 실리콘 에피탁시법을 이용한 실리콘 미세구조의 형성방법을 제공함에 그 목적이 있다.