일반기술
고온초전도 마이크로웨이브 디바이스 개발
고온초전도 마이크로웨이브 소자들중 공진기와 필터를 개발하기 위하여, 박막제조 분야에서는 RF-sputtering법으로 임계온도가 86K, 임계전류가 1X106 A/㎠의 좋은 특성을 갖고 있는 박막을 제조하였으며, 공진기 분야에서는 450MHz meander 라인 공진기, 7GHz 라인과 링공진기를 설계 및 제작하였다.공진기 특성은 Q-factor가 8,000정도이며, 표면저항은 약 0.4mΩ정도를 얻을 수 있었다. 필터분야에서는 가장 기본적인 구조이면서도 필터의 여러 가지 특성을 연구할 수 있는 parallel-coupled 형태의 설계 및 분석기술을 확보할 수 있었다. 또한 본 연구기간 동안에는 공진기와 필터 설계기술 확보 뿐만 아니라, 저온 측정시 가장 중요한 부분중의 하나인 마이크로웨이브 package를 제작하였다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 세라믹재료
- 보유기관
- 한국생산기술연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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