일반기술

GAAS웨이퍼의에칭방법

본 기술은 GaAs 웨이퍼(wafer)의 에칭(etching)방법에 관한 것이다, 일반적으로 액침(immersion) 타입(type)의 GaAs 웨이퍼(wafer) 에칭(etching) 방식에 있어서의 에칭용액 즉, H2SO4 : H2O2 : H2O = 5 : 1 : 1의 혼합비율로 조성되는 에칭 용액을 자연혼합방식에 의해 단순 혼합시키게 되면 각기 특성이 다름에 따라 고른 혼합물 기대할 바 못될 뿐만 아니라 에칭용액의 불균일 혼합에 따른 미세한 기포들이 무수히 생성되는 것이며, 상기 에칭용액에 GaAs 담체(carrier)를 액침(immersion)하여 정해진 온도에서 일정시간 동안 반응시킬 경우 상기 기포들은 웨이퍼 표면에 흡착(adsorption)되고 이로 말미암아 에칭(etching)이 완료된 상태의 GaAs 웨이퍼(wafer) 표면에는 미세한 거칠기(roughness) 및 얼룩반점(spot)등이 발생된다. 따라서 웨이퍼(wafer) 표면의 균일을 가할 수 있도록 한 GaAs 웨이퍼(wafer)의 에칭(etching)방법을 제공함이 기술의 목적이다.에칭용액을 골고루 섞이도록 한 후 액침시켰던 담체를 대기중에 노출시키므로써 웨이퍼 표면의 균일을 가할수 있다. 더 상세히는,에칭 용액(H SO :H O:H O = 5:1:1)을 균일하게 혼합시키기 위해 초음파를 이용하였고, 비소화 갈륨 담체를 일정 시간(1-5초) 동안 침적시켰다가 이를 대기중에 일정 시간(1-5초) 동안 노출시킴으로써 공기와 에칭 용액 사이의 상호작용에 의해 웨이퍼 표면에 균일한 막이 형성되도록 하는 한편,침적과 공기 노출을 소정의 일정 시간(1분)동안 반복하여 비소화 갈륨 웨이퍼 표면이 균일한 에칭면을 갖도록 하였다.