일반기술

GAAS웨이퍼의산화막제거를위한에칭용해방법

본 기술은 GaAs 웨이퍼의 산화막 제거를 위한 에칭용해 방법에 관한 것이다. 일반적으로 GaAs 웨이퍼의 제조공정은 GaAs 잉곳(Ingot)을 깍아낸(Slicing)다음, 래핑(Lapping), 폴리싱(Polishing)등의 연마작업을 거쳐 표면의 산화불순물을 제거하는 크리닝 공정을 거치게 되는데, 종래에는 웨이퍼의 크리닝을 위하여 웨이퍼를 황산계(H2SO4:H2O:H2O=5:1:1)용액에서 에칭(Etching)한 다음 세척수 헹구어 건조시키는 방법이었으나, 본 발명은 웨이퍼를 수산화나트륨계(NaOH:H2O2=1:1)용액에서 에칭하고 세척수로 헹군다음, 상기 황산계 용액에서 에칭하고 다시 세척수로 헹구어 탈수건조시키므로써, 크리닝후의 잔류산화막이 10A(종래에는 30A)로 되어 깨끗한 표면의 웨이퍼를 얻을 수 있게 한 것이다.GaAs 웨이퍼의 제조공정중 크리닝 공정에서 수중손상(Subdamage) 및 산화막을 제거하기 위하여 웨이퍼를 황산계(H2SO4:H2O:H2O=5:1:1)용액에서 1분간 에칭(Etching)한후, 세척수(D.I.Water)로 헹구어 건조시키는 공지의 방법에 있어서, 상기 황산계 용액을 수산화나트륨계 용액과 교번으로 사용하되, 우선 거울면으로 연마된 웨이퍼를 수산화나트륨계(NaOH:H2O2=1:1)용액에 담긴 용기에서 1분간 에칭한 후, 세척수로 헹구고, 상기 황산계(H2SO4:H2O2:H2O=5:1:1)용액에서 1분간 에칭한 다음, 세척수로 헹구어 원심탈수기(Spin Dryer)로 건조시켜서 된 것을 특징으로 한다.