일반기술

수직브리지만법이나수직온도구배감소법으로성장시킨GAAS단결정의플래트가공용지그

본 기술은 수직 브리지만법이나 수직온도 구배감소 법으로 성장시킨 GaAs 단결정의 플래트 가공용 지그에 관한 것이다. 종래에는 액체 캡 슈울법(Liquid Encapsulated Czochralski)법으로 성장시킨 GaAs 단결정은 외형이 불균일하고 단결정 가장자리에 As의 해리로 인하여 결함이 많이 발생한다. 따라서, 외형을 균일한 원기둥형상으로 가공하고, 이러한 결함들을 없애기 위하여 잉곳트 그라인딩 공정이 플래트면 가공고정 이외에도 더 필요하였다. 그러나, 수직 브리지만법이나, 수직온도구배 감소법으로 성장시킨 GaAs 단결정의 경우에는 외형이 균일하고 단결정 가장자리에 결함이 없으므로 외형을 원기둥 형상으로 하거나, 상기의 결함을 제거하기 위한 잉곳트 그라인딩 공정이 필요없이 단지 플래트 가공만을 위하여 잉곳트 그라인더가 사용되었다. 즉, 반도체 단결정을 웨이퍼로 만들 때, 잉곳트 그라인더를 사용하여 웨이퍼의 특성 및 방위에 대한 정보를 나타내기 위해 1차 플래트와 2차 플래트 가공을 하였다. 따라서, 본 발명은 VB법이나 VGF법으로 성장된 단결정을 잉곳트 그라인딩 공정없이 1차 플래트와 2차 플래트를 가공할 수 있도록 하고, 또한, 이 가공된 플래트면의 방위를 바로 검사할 수 있도록 하는 슬라이싱 플래트 가공용 지그를 제공함을 목적으로 한다.플래트면의 방위를 검사할 때 X-선 라우에 회절무늬 검사장비에 부착할 수 있는 X-선 호울더와, 자르고자 하는 잉곳트를 슬라이싱 할 때 흔들리지 않도록 고정시켜 주는 잉곳트 호울더와, X-선 장비에서 방위측정이 끝난 후 X-선 호울더가 없는 상태에서 슬라이싱 장비에 연결시켜 주는 슬라이싱 호울더와, 잉곳트의 방위측정이 끝난 후, 잉곳트 호울더를 슬라이싱 호울더에 고정시키는 잉곳트 호울더 고정판을 구비하여, 잉곳트 호울더와 각도표시 지침이 1차 플래트와 2차 플래트 사이의 각도를 정확히 정할 수 있다. 본 기술에 의해 구현된 지그를 사용할 경우에는 잉곳트 그라인더를 사용하는 공정을 없앨 수 있었으며, 플래트면의 가공 전, 후에 언제든지 손쉽게 방위검사를 할 수 있어서, VB법이나 VGF법으로 성장된 단결정을 사용하여 웨이퍼를 만들 경우 이 웨이퍼의 절단 공정(Wafering) 을 더욱 효과적으로 수행할 수 있다.