일반기술

자기 저항 헤드용 거대 자기 저항 재료

자기기록매체의 고밀도화, 소형화 추세에 따라, 이렇게 고밀도로 기록된 자기기록을 읽어들일수 있는 재생기술의 개발이 요구되어지고 있다. 이를 위해 기존의 유도형 재생헤드를 대체하는 이방성자기저항(Anisotropic Magnetoresistance)을 이용한 MR헤드가 이미 실용화되어 있는 상태이다. 하지만 현재의 MR헤드로는 최대 3Gbit/in2 정도이상의 기록밀도 향상을 기대할수 없다. 이러한 MR헤드를 대체하기위해 지금 연구되어지고 있는 것이 거대자기저항(Giant Magnetoresistance, GMR) 현상을 이용한 GMR헤드분야이다. 여기서 거대자기저항현상이란 외부자기장 변화에따라 비자성층으로 분리된 두 강자성층의 자화방향이 서로 평행일 때와 반평행일 때가 생기는데, 이 두 상황에서의 전기저항변화를 말한다. 이러한 GMR헤드는 MR헤드에 비하여 낮은 자기장변화에도 높은 민감도를 가지고 선형적으로 반응하는 특성을 가지고 있어서 10Gbit/in2 의 고밀도 자기기록매체의 재생에 필요한 차세대 헤드로서 각광을 받고 있다.