일반기술
이온빔 증착법에 의한 TiN박막의 제작 및 특성
본 연구에서 초고진공용 IBAD장치를 제작하여 사용하였다. 시료제작실의 Base Pressure는 5×10-10Torr이며, 시료제작시 N2 Gas에 의한 진공도는 7×10-8 ∼ 1×10-7Torr이었고 Steel위에 TiN박막을 제작하여 그 특성을 알아보았다. N2+ 이온빔은 Cold cathode type의 Ion gun을 사용하였으며 이온의 에너지는 500eV에서부터 5KeV까지 변화를 시켜주었고 Ion baem current는 9㎂/㎠의 조건에서 TiN박막을 제작하였다. 또한, N2+ 이온의 에너지를 일정하게 유지한 후 Ti의 증착율을 0.1 ∼ 0.3Å/sec로 변화시켜가며 TiN박막을 제작하였다. 제작된 TiN의 박막을 XPS로 분석한 결과 Ti와 N2+이온은 기판도착율이 1 : 1에서 TiN박막을 가장 잘 형성하였으며, Oxygen free TiN임을 알 수 있었다. 한편, XRD실험을 통하여 N2+ ion의 에너지 변화에 따라 TiN박막의 구조에 영향이 있음이 관찰되었다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 전기·전자기 기능재료
- 보유기관
- 한국생산기술연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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