일반기술

부분 용융법을 이용한 고온 초전도 에피텍셜 후막의 제조방법

본 발명은 전력응용분야와 전자소자 응용분야에 적용될 수 있는 에피텍셜 후막의 제조방법에 관한 것으로 이트륨 바륨 구리산화물(YBa2Cu3Ox) 고온 초전도 에피텍셜 후막의 제조시 단결정이나 에피텍셜 산화물 기판위에 유기바인더와 혼합된 원료분말을 도포하고 1050℃ 이상으로 가열하여 원료 중 일부 물질을 용융시키고 냉각시 냉각속도룰 조절하여 기판의 결정면에 맞게 고온 초전도체 결정이 에피텍셜하게 성장시키는 방법으로 박막과 유사한 초전도 특성을 가지면서 박막에 비해서 두께가 두꺼운 후막을 제조할 수 있는 부분 용융법을 이용한 고온 초전도 에피텍셜 후막의 제조방법에 관한 것이다.초전도체의 분말 원료와 유기물을 혼합하여 단결정 기판 및 에피텍셜 산화물 기판 위에서 막 형태로 제조하는 단계와; 상기 제조된 초전도체 후막을 에피텍셜하게 만들기 위해 1050℃ 이상으로 유지된 호에 후막을 바로 넣어 부분 용융시키는 단계와; 상기 부분용융된 초전도체 후막을 에피텍셜 결정화를 위해서 서냉시키는 단계와; 상기 제조된 초전도체 후막에 높은 임계 전류밀도를 갖도록 소둔시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 부분 용융법을 이용한 고온 초전도 에피텍셜 후막의 제조방법.