일반기술
밀리미터파 혼합기와 검출기에 대한 쇼트키 장벽 높이 공학
감소 실효 쇼트키 장벽 높이를 갖는 반도체 구조에 대한 생산 기술을 개발해 왔다. 이것은 OMVPE 반응장치에서 성장과정 동안 직접적으로 GaAS 표면 영역과 그 다음 공정인 3-methyl-aminalan으로부터 알류미늄층의 도핑을 제어할 수 있기 때문에 가능하다. 제안된 방법으로 장벽 높이 0.75~0.1eV의 재생 가능한 Al/n-GaAs 쇼트키 접합을 만들 수 있다. 중도핑을 할 경우, 비합금 저항접합(<10(-5) Ohm/cm)을 얻을 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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