일반기술

적외선 영역 근접 사용에 유용한 반도체 구조 기술

이 기술은 실리콘을 주 재료로 하여 적외선 영역에 근접해 사용하기 위한 반도체 구조 기술이다. 이 반도체 구조는 대부분이 실리콘과 게르마늄(Si/Ge)의 epitaxy 교류층(alternating layers)으로 이루어진 active zone, base layer, cladding layer와 일정한 간격을 두고 있는 게르마늄의 집합체들이 형성하고 있는 Quantum dots 으로 구성되어 있다. 이 Active zone의 실리콘/게르마늄 교류층이 Superlattice를 형성하고 miniband에 위치한 전자들은 conduction band와 연합한다. 또 양자화된 energy levels에 위치한 holes들은 valance band와 연합하여 반도체 구조를 형성한다.실리콘을 주 재료로 한 이 반도체 구조는 무엇보다도 기존의 III-V semiconductor 재료에 비하여 200배 이상 저렴하다는 경제적 장점을 가지고 있다. 그리고 게르마늄과 실리콘(Ge/Si) layer가 보다 빠른 촉진율을 가지고 층을 쌓는다는 점과 그 위의 덧씌워지는 cladding layer로 인해 반도체 제작 시간 또한 획기적으로 절감할 수 있다. 또한 제작 공정 중 원하지 않는 기타 불순물이 들어가는 것을 크게 억제할 수 있는 장점이 있다.