일반기술

가스센서 및 금속 산화물 얇은 표면 상태 제어 방법

이 가스 센서는 기판(전기회로가 편성되어 있는 판)과 그 기판위에 형성된 산화 주석을 주성분으로 하는 산화 주석막을 갖추고 있다. 따라서, 산화 주석막이 주석 화합물과, 주석 화합물에 화학 수식할 수 있는 유기 고분자 화합물을 조금이라도 포함한 용액보다는, 막을 이룬 후, 산소 함유 분위기 안에서 소성하여 얻을 수 있다는 것을 특징으로 한다. 본 발명에서 화학 수식이란, 주석 화합물과 유기 고분자 화합물이 용매중에 있고, 단순한 혼합이 아닌, 예를 들면 배위결합, 공유결합등의, 무엇인가 화확적 상호작용, 혹은 화확적 변화가 생기고 있는 상태를 말한다.발명의 가스 센서는, 주석 화합물과 그 주석 화합물에 화학 수식할 수 있는 유기 고분자 화합물을 조금이라도 포함한 용액보다 막을 형성한 후, 산소 함유 분위기 중에서 소성하여 얻을 수 있는 산화 주석막을 이용한다. 그러므로, 유기 고분자 화합물에 의해 소성한 후의 미세 표면 상태를, 무수의 나노로부터 무수의 미크론 오더까지 임의로 제어할수 있는 표면의 미세 구멍을 가지는 구조가 가능하다. 그 결과, 적은 양의 가스에서도 뛰어난 감도를 가지는 가스 센서를 얻을 수 있다. 센서 감도가 높아짐에 따라 지금까지 보다 측정회수를 줄이거나 크리닝조작 횟수를 줄일수 있어서 에너지 절약상 처리율이 좋은 기기의 실현도 가능하다.