일반기술

분자 디바이스와 그 제조 방법

본 기술에서의 분자 디바이스는, 실리콘 기판 표면에 실리콘탄소의 공유결합에 의해 결합된 탄화수소 분자의 단분자층을 가지는 분자 디바이스이다. 이는 단분자층을 구성하는 탄화수소 분자의 탄소쇄장에 의해서 내전압 특성이 가변으로 되는 것을 특징으로 한다. 이 분자 디바이스의 제조 방법은, 수소 종단화 된 실리콘 기판 표면을 말단 탄소-탄소 불포화 결합을 가지는 소정의 탄소쇠사슬장의 탄화수소와 반응시켜 실리콘탄소 공유결합에 의해 결합된 탄화수소 분자의 단분자층을 형성시키고, 이를 탄화수소 분자의 탄소쇄장에 의해서 내전압 특성을 가변으로 만든 후, 또 다시, 미세한 탐침에 의해 구성되는 ＭＩＳ 결합이, 미세한 탐침에 더해지는 압력에 의해서 전기 저항이 가변으로 여겨지도록 하는 것을 특징으로 한다.나노 제어 디바이스, 나노파브리케이션의 핵심적 기반기술로서 유용하고, 실리콘 기판 표면의 단분자층과 그 구조, 기능의 제어와 관계되는 새로운 분자 디바이스와 그 제조 방법을 제공한다. 분자 디바이스의 나노파브리케이션에 의한 고차 질서의 구성과 기능의 고도화, 복합화에 있어서의 공헌이 크다. 또한, ＭＩＳ 결합에 있어서, 미세하게 전해지는 압력에 의하여 전기 저항의 변화가 일어나는 것으로 여겨지는 분자 디바이스는, 분자소자, 나노 센서등의 새로운 영역을 개척할 수 있게 된다. 또한, 기판 표면에의 고도 기능화와 복합화를 현실화함으로써, 단분자층 영역과 산화물 영역과의 구분을 통해 디바이스의 질서와 기능을 고도화할 수 있다.