일반기술

냉각식 읽기 회로의 저주파 노이즈 삭감 방법

극저온에서 동작이 가능한 트랜지스터를 냉각 온도의 조절이 가능한 냉각기내에 두고, 제1의 온도로 트랜지스터에 전원을 투입해 동작 상태로 만든다. 여기에, 전류를 흘린 상태에서, 트랜지스터의 소자 온도를 일단 제1의 온도보다 높은 제2의 온도까지 상승시키고, 그 후에 트랜지스터의 소자 온도를, 제2의 온도로부터 제1의 온도까지 냉각시킨다(서멀 큐어를 실시한다). 그리고, 전기 트랜지스터(서멀 큐어를 실시한 트랜지스터)를 통상의 극저온 동작 온도인 제1의 온도로 동작시키게 함으로써, 전기 트랜지스터에 있어서의 저주파 노이즈를 저감 시킬 수 있다.종래에서는, 예를 들면, 미약광검출기의 impedance 변환용 트랜지스터로서 극히 낮은 온도에서 동작이 가능한 FET가 사용되고 있었다. 그러나, 이러한 FET(예를 들면, GaAsJ-FET)는, 저주파 노이즈가 많아서 읽기 회로의 성능에 영향을 끼치는 경우가 자주 발생하였다. 이의 개선 방안으로서 본 기술은, 트랜지스터를 통상의 극저온 동작 온도인 제1의 온도로 동작시키도록 함으로써, 일단 동작 온도를 상승시켜 놓은 후 이용하는 방법을 택하여 전기 트랜지스터의 저주파 노이즈를 저감 할 수 있는 기대효과를 볼 수 있다.

기술정보

기술분류
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
보유기관
한국기술벤처재단
기술유형
일반기술
등록일
2005-07-18
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

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