일반기술

반도체 소자, 반도체 센서 및 반도체 기억 소자

이 기술은 하부 전극을 갖는 MFMIS구조와 집적회로를 일체화 시킬 수 있는 반도체소자, 반도체 센서 및 반도체 기억 소자를 제공하는 것이 목적이다. 그 효과는 결정성 Pt전극을 이용하여 MFMIS구조와 집적회로를 일체화 시킬 수 있는 반도체소자, 반도체 센서 및 반도체 기억 소자를 제공할 수 있다. 강제 유도 전체가 가진 이력현상, 초전효과, 압전효과, 전기광학효과 특성을 이용하여 여러가지 전자 디바이스를 제조할 수 있다.또 강제 유도 전체를 엷은막으로 형성하여 디바이스 성능의향상,소형화를 기대할 수 있다.최근의 반도체 분야에서는 금속/강제유도전체/금속구조/절연체/반도체 구조를 지닌 디바이스는 불휘발성 기억 소자는 센서에 응용이 기대되고 있다. 본 발명에서는 그림1에 표시되었듯이 반도체단결정기반 위에 에비타키샬 성장된 γ－Ａｌ↓２Ｏ↓３ 단결정막을 가지고 그γ－Ａｌ↓２Ｏ↓３단결정막 위에 에비타키샬단결정 Pt박막을 가지고 있다. 그림 2에서는 본 발명의 메모리 구조를 지닌 MFMISㅡFET형 반도체 기억소자를 표시한다.반도체기반, 소스 드레인, 절연막, 하부 전극, 강제 유도 전체 박막, 상부 전극이 표시 되어 있다.